教育简历
1979.9--1983.7 吉林大学电子科学系 半导体物理与器件 本科 学士
1983.9--1986.7 吉林大学电子科学系 半导体物理与器件 研究生 硕士
1994.3--1999.7 北京工业大学电子工程系 微电子学与固体电子学 研究生 博士
工作履历
1986.7---现在 北京工业大学 电子工程系/电控学院/信息学部/信息科学技术学院
其中：
2000.4---2000.12 美国Howard大学工学院电子工程系 博士后
2001.1--2002.12 美国Rutgers大学工学院电子工程与计算机系 博士后
学术兼职
中国电子学会可靠性分会 副主任委员
课程教学
本科生教学：半导体物理学，新生研讨课。
研究生教学：半导体器件电子学
科研项目
近五年内，作为负责人承担和在研的国家自然科学基金项目5项、北京市教委重点项目2项、北京市科技研发专项1项，企事业委托项目20余项。
荣誉和获奖
1、2012年 “百千万人才工程”国家级人选；
2、2013年 国务院政府特殊津贴；
3、1994年入选北京市科技新星；
4、1997年入选北京市跨世纪人才；
5、1995年，获评北京优秀青年教师；
6、2021.9.20北京市科学技术奖-技术发明奖 二等奖（1）；
7、2019.12中国电子学会科学技术奖-技术发明奖二等奖（1）；
8、2000.7北京市科技进步奖 三等奖（2）；
9、1997.12北京市科技进步奖二等奖（3）；
10、1996.12电子工业部科技进步奖三等奖（4）；
11、1995.3北京市科技进步奖二等奖（7）；
12、2011.8全国发明博览会金奖（1）；
13、2009.5 北京市教育教学成果奖 二等奖（4）；
14、2018.4 北京市教育教学成果奖 一等奖（4）；
15、2013.9 北京市教育教学成果奖 一等奖（3）；
16、2022.9北京市教育教学成果奖 二等奖（1）；
代表性研究成果
代表性研究成果：围绕芯片与系统温升检测难题，突破温升/热阻构成无损检测理论，发明芯片结温及热阻构成“谱值化”无损检测技术，仪器性能指标处于国际先进水平。首次提出温度系数动态测量方法，同等精度下效率提高数十倍，填补了行业空白，达到国际领先水平。掌握了芯片结温检测“检测理论-技术发明-仪器研制-创新应用”全部核心技术。该领域授权发明专利35件，软件著作权1件，实用新型专利5件，占国内该领域发明专利的65%以上，该成果发表SCI论文43篇，经中国电子学会组织权威专家鉴定：成果整体技术达到国际先进水平，部分技术国际领先。
主要论文论著
近10年10篇代表论文（指导的研究生一作，本人二作通信作者）
论文名称 |
作者（排序） |
发表刊物名称 |
发表日期 |
影响因子 |
A thermal boundary resistance measurement method based on a designed chip with the heat source separated from the temperature sensor |
Xuan Li,Shiwei Feng,ect。 第二作者、通讯作者 |
Applied Physics Letters |
2023.02.13 |
3.971 |
Characterization of hole traps in reverse-biased Schottky-type p-GaN gate HEMTs by current-transient method |
Shijie Pan,Shiwei Feng ect. 第二作者、通讯作者 |
Applied Physics Letters |
2022.10.10 |
3.971 |
Identification of Traps in p-GaN Gate HEMTs During OFF-State Stress by Current Transient Method |
Shijie Pan,Shiwei Feng ect。 第二作者、通讯作者. |
IEEE Transactions on Electron Devices |
2022.09.01 |
3.221 |
Identifying the Properties of Traps in GaN High-Electron-Mobility Transistors via Amplitude Analysis Based on the Voltage-Transient Method |
Shijie Pan,Shiwei Feng,ect。 第二作者、通讯作者 |
IEEE Transactions on Electron Devices |
2021.09.06 |
3.221 |
A Drain–Source Connection Technique: Thermal Resistance Measurement Method for GaN HEMTs Using TSEP at High Voltage |
Xuan Li, Shiwei Feng,ect。 第二作者、通讯作者. |
IEEE Transactions on Electron Devices |
2020.12.01 |
3.221 |
Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base-Collector Voltage Drop at Low Current |
Bangbing Shi, Shiwei Feng, ect。 第二作者、通讯作者 |
IEEE Transactions on Power Electronics |
2019.01.21 |
5.967 |
Junction Temperature Measurement Method for Power mosfets Using Turn-On Delay of Impulse Signal |
Bangbing Shi,Shiwei Feng，ect。 第二作者、通讯作者 |
IEEE Transactions on Power Electronics |
2017.08.07 |
5.967 |
A New Differential Amplitude Spectrum for Analyzing the Trapping Effect in GaN HEMTs Based on the Drain Current Transient |
Xiang Zheng,Shiwei Feng,ect。 第二作者、通讯作者 |
IEEE Transactions on Electron Devices |
2017.02.24 |
3.221 |
Variation of Dominant Degradation Mechanism in AlGaN Barrier Layer With Different Voltage Stress on the Gate of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors |
Lei Shi,Shiwei Feng,ect。 第二作者、通讯作者 |
IEEE Electron Device Letters |
2015.02.03 |
4.816 |
Effect of Self-Heating on the Drain Current Transient Response in AlGaN/GaN HEMTs |
Yamin Zhang,Shiwei Feng,ect。 第二作者、通讯作者 |
IEEE Electron Device Letters |
2014.01.31 |
4.816 |
