师资队伍

冯士维

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教育简历

1979.9--1983.7  吉林大学电子科学系 半导体物理与器件 本科 学士

1983.9--1986.7  吉林大学电子科学系 半导体物理与器件 研究生 硕士

1994.3--1999.7  北京工业大学电子工程系 微电子学与固体电子学  研究生  博士

工作履历

1986.7---现在  北京工业大学 电子工程系/电控学院/信息学部/信息科学技术学院

其中:

2000.4---2000.12 美国Howard大学工学院电子工程系 博士后

2001.1--2002.12 美国Rutgers大学工学院电子工程与计算机系 博士后

学术兼职

中国电子学会可靠性分会 副主任委员

课程教学

本科生教学:半导体物理学,新生研讨课。

研究生教学:半导体器件电子学

科研项目

近五年内,作为负责人承担和在研的国家自然科学基金项目5项、北京市教委重点项目2项、北京市科技研发专项1项,企事业委托项目20余项。 

荣誉和获奖

1、2012百千万人才工程国家级人选;

2、2013年 国务院政府特殊津贴;

3、1994年入选北京市科技新星;

4、1997年入选北京市跨世纪人才;

5、1995年,获评北京优秀青年教师;

6、2021.9.20北京市科学技术奖-技术发明奖 二等奖(1);

7、2019.12中国电子学会科学技术奖-技术发明奖二等奖(1);

8、2000.7北京市科技进步奖 三等奖(2);

9、1997.12北京市科技进步奖二等奖(3);

10、1996.12电子工业部科技进步奖三等奖(4);

11、1995.3北京市科技进步奖二等奖(7);

12、2011.8全国发明博览会金奖(1);

13、2009.5 北京市教育教学成果奖 二等奖(4);

14、2018.4 北京市教育教学成果奖 一等奖(4);

15、2013.9 北京市教育教学成果奖 一等奖(3);

16、2022.9北京市教育教学成果奖 二等奖(1);

代表性研究成果

代表性研究成果:围绕芯片与系统温升检测难题,突破温升/热阻构成无损检测理论,发明芯片结温及热阻构成“谱值化”无损检测技术,仪器性能指标处于国际先进水平。首次提出温度系数动态测量方法,同等精度下效率提高数十倍,填补了行业空白,达到国际领先水平。掌握了芯片结温检测“检测理论-技术发明-仪器研制-创新应用”全部核心技术。该领域授权发明专利35件,软件著作权1件,实用新型专利5件,占国内该领域发明专利的65%以上,该成果发表SCI论文43篇,经中国电子学会组织权威专家鉴定:成果整体技术达到国际先进水平,部分技术国际领先。

主要论文论著

10年10篇代表论文(指导的研究生一作,本人二作通信作者)

论文名称

作者(排序)

发表刊物名称

发表日期

影响因子

A thermal boundary resistance measurement method based on a designed chip with the heat source separated from the temperature sensor

Xuan Li,Shiwei Feng,ect。

第二作者、通讯作者

Applied Physics Letters

2023.02.13

3.971

Characterization of hole traps in reverse-biased Schottky-type p-GaN gate HEMTs by current-transient method

Shijie Pan,Shiwei Feng ect.

第二作者、通讯作者

Applied Physics Letters

2022.10.10

3.971

Identification of Traps in p-GaN Gate HEMTs During OFF-State Stress by Current Transient Method

Shijie Pan,Shiwei Feng ect。

第二作者、通讯作者.

IEEE Transactions on Electron Devices

2022.09.01

3.221

Identifying the Properties of Traps in GaN High-Electron-Mobility Transistors via Amplitude Analysis Based on the Voltage-Transient Method

Shijie Pan,Shiwei Feng,ect。

第二作者、通讯作者

IEEE Transactions on Electron Devices

2021.09.06

3.221

 A Drain–Source Connection Technique: Thermal Resistance Measurement Method for GaN HEMTs Using TSEP at High Voltage

Xuan Li, Shiwei Feng,ect。

第二作者、通讯作者.

IEEE Transactions on Electron Devices

2020.12.01

3.221

Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base-Collector Voltage Drop at Low Current

Bangbing Shi, Shiwei Feng, ect。

第二作者、通讯作者

IEEE Transactions on Power Electronics

2019.01.21

5.967

Junction Temperature Measurement Method for Power mosfets Using Turn-On Delay of Impulse Signal

Bangbing Shi,Shiwei Feng,ect。

第二作者、通讯作者

IEEE Transactions on Power Electronics

2017.08.07

5.967

A New Differential Amplitude Spectrum for Analyzing the Trapping Effect in GaN HEMTs Based on the Drain Current Transient

Xiang Zheng,Shiwei Feng,ect。

第二作者、通讯作者

IEEE Transactions on Electron Devices

2017.02.24

3.221

Variation of Dominant Degradation Mechanism in AlGaN Barrier Layer With Different Voltage Stress on the Gate of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

Lei Shi,Shiwei Feng,ect。

第二作者、通讯作者

IEEE Electron Device Letters

2015.02.03

4.816

Effect of Self-Heating on the Drain Current Transient Response in AlGaN/GaN HEMTs

Yamin Zhang,Shiwei Feng,ect。

第二作者、通讯作者

IEEE Electron Device Letters

2014.01.31

4.816